STMicroelectronics FDmesh STW55NM60ND N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 51 A 350 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 761-0336
- Herst. Teile-Nr.:
- STW55NM60ND
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.8.02 |
| 10 - 29 | CHF.7.73 |
| 30 - 59 | CHF.7.45 |
| 60 - 119 | CHF.7.16 |
| 120 + | CHF.6.87 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 761-0336
- Herst. Teile-Nr.:
- STW55NM60ND
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 51 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Serie | FDmesh | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 60 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 350 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 5.15mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 190 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 15.75mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 20.15mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 51 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Serie FDmesh | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 60 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Verlustleistung max. 350 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 5.15mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 190 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 15.75mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 20.15mm | ||