N-Kanal MOSFET Transistor STV240N75F3, 75 V 240 A, PowerSO-10 10-pin
- RS Best.-Nr.:
- 761-0253P
- Herst. Teile-Nr.:
- STV240N75F3
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.168.65
- 541 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 149 | CHF.3.37 |
| 150 - 299 | CHF.3.00 |
| 300 - 599 | CHF.1.94 |
| 600 + | CHF.1.69 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 761-0253P
- Herst. Teile-Nr.:
- STV240N75F3
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 240 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 75 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2,6 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gehäusegröße | PowerSO | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 10 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 300 W | |
| Einschaltverzögerungszeit | 25 ns | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 9.5mm | |
| Abmessungen | 9.6 x 9.5 x 3.75mm | |
| Länge | 9.6mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Serie | STripFET F3 | |
| Höhe | 3.75mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 6800 pF @ 25 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 85 nC @ 10 V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 100 ns | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 240 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 75 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 2,6 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gehäusegröße PowerSO | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 10 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 300 W | ||
Einschaltverzögerungszeit 25 ns | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 9.5mm | ||
Abmessungen 9.6 x 9.5 x 3.75mm | ||
Länge 9.6mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Serie STripFET F3 | ||
Höhe 3.75mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 6800 pF @ 25 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 85 nC @ 10 V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 100 ns | ||