STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 STU3N62K3 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 620 V / 2,7 A 45 W, 3-Pin TO-251
- RS Best.-Nr.:
- 761-0231P
- Herst. Teile-Nr.:
- STU3N62K3
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 25 - 70 | CHF.0.778 |
| 75 - 145 | CHF.0.778 |
| 150 - 295 | CHF.0.616 |
| 300 + | CHF.0.616 |
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- RS Best.-Nr.:
- 761-0231P
- Herst. Teile-Nr.:
- STU3N62K3
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,7 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 620 V | |
| Gehäusegröße | TO-251 | |
| Serie | MDmesh K3, SuperMESH3 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2,5 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 45 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| Länge | 6.6mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 2.4mm | |
| Höhe | 6.9mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 2,7 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 620 V | ||
Gehäusegröße TO-251 | ||
Serie MDmesh K3, SuperMESH3 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 2,5 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Verlustleistung max. 45 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 13 nC @ 10 V | ||
Länge 6.6mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 2.4mm | ||
Höhe 6.9mm | ||