N-Kanal MOSFET Transistor STP80NF55L-06, 55 V 80 A, TO-220 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 761-0193
- Herst. Teile-Nr.:
- STP80NF55L-06
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.2.707
- Zusätzlich 19 Einheit(en) mit Versand ab 15. Juni 2026
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.2.71 |
| 10 - 49 | CHF.2.23 |
| 50 - 99 | CHF.2.18 |
| 100 - 249 | CHF.1.94 |
| 250 + | CHF.1.79 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 761-0193
- Herst. Teile-Nr.:
- STP80NF55L-06
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 80 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 55 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 8 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Gate-Source Spannung max. | –16 V, +16 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 300 W | |
| Breite | 4.6mm | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 135 ns | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Einschaltverzögerungszeit | 32 ns | |
| Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 15.75mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 100 nC bei 5 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 4850 pF @ 25 V | |
| Länge | 10.4mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Serie | STripFET II | |
| Höhe | 15.75mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 80 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 55 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 8 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Gate-Source Spannung max. –16 V, +16 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 300 W | ||
Breite 4.6mm | ||
Ausschaltverzögerungszeit 135 ns | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Einschaltverzögerungszeit 32 ns | ||
Abmessungen 10.4 x 4.6 x 15.75mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 100 nC bei 5 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 4850 pF @ 25 V | ||
Länge 10.4mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Serie STripFET II | ||
Höhe 15.75mm | ||