STMicroelectronics MDmesh STP7NM80 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 800 V / 6,5 A 90 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 761-0180
- Herst. Teile-Nr.:
- STP7NM80
- Marke:
- STMicroelectronics
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|---|---|
| 1 - 9 | CHF.3.51 |
| 10 - 49 | CHF.2.88 |
| 50 - 99 | CHF.2.82 |
| 100 - 249 | CHF.2.50 |
| 250 + | CHF.2.31 |
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- RS Best.-Nr.:
- 761-0180
- Herst. Teile-Nr.:
- STP7NM80
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 6,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 800 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | MDmesh | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,05 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 90 W | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 4.6mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 15.75mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 6,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 800 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie MDmesh | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 1,05 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Verlustleistung max. 90 W | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 18 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 4.6mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 15.75mm | ||