N-Kanal MOSFET Transistor STP23NM60ND, 600 V 19,5 A, TO-220 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 761-0086P
- Herst. Teile-Nr.:
- STP23NM60ND
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme 10 Stück (geliefert in Stange)*
CHF.52.22
- Versand ab 10. September 2026
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 49 | CHF.5.22 |
| 50 - 99 | CHF.4.56 |
| 100 - 249 | CHF.4.04 |
| 250 + | CHF.3.75 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 761-0086P
- Herst. Teile-Nr.:
- STP23NM60ND
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 19,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 180 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 150 W | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 4.6mm | |
| Einschaltverzögerungszeit | 25 ns | |
| Höhe | 15.75mm | |
| Serie | FDmesh | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 10.4mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 70 nC @ 10 V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 90 ns | |
| Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 15.75mm | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 2050 pF @ 50 V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 19,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 180 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 150 W | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 4.6mm | ||
Einschaltverzögerungszeit 25 ns | ||
Höhe 15.75mm | ||
Serie FDmesh | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 10.4mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 70 nC @ 10 V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 90 ns | ||
Abmessungen 10.4 x 4.6 x 15.75mm | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 2050 pF @ 50 V | ||