N-Kanal MOSFET Transistor STP10NM65N, 650 V 9 A, TO-220 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 760-9976P
- Herst. Teile-Nr.:
- STP10NM65N
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 760-9976P
- Herst. Teile-Nr.:
- STP10NM65N
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 9 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 480 mΩ | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 90 W | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| Einschaltverzögerungszeit | 12 ns | |
| Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 15.75mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 4.6mm | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 50 ns | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 850 pF @ 50 V | |
| Länge | 10.4mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 15.75mm | |
| Serie | MDmesh | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 9 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 480 mΩ | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 90 W | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 25 nC @ 10 V | ||
Einschaltverzögerungszeit 12 ns | ||
Abmessungen 10.4 x 4.6 x 15.75mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 4.6mm | ||
Ausschaltverzögerungszeit 50 ns | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 850 pF @ 50 V | ||
Länge 10.4mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 15.75mm | ||
Serie MDmesh | ||