N-Kanal MOSFET Transistor STP10N62K3, 620 V 8,4 A, TO-220 3-pin

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RS Best.-Nr.:
760-9966
Herst. Teile-Nr.:
STP10N62K3
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

8,4 A

Drain-Source-Spannung max.

620 V

Drain-Source-Widerstand max.

750 mΩ

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Enhancement

Kategorie

Leistungs-MOSFET

Verlustleistung max.

125 W

Ausschaltverzögerungszeit

41 ns

Eingangskapazität typ. @ Vds

1250 pF @ 50 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

42 nC @ 10 V

Breite

4.6mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Einschaltverzögerungszeit

14,5 ns

Serie

MDmesh K3, SuperMESH3

Abmessungen

10.4 x 4.6 x 15.75mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

10.4mm

Höhe

15.75mm

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