STMicroelectronics STripFET F3 STD60N55F3 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 55 V / 80 A 110 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 760-9929
- Herst. Teile-Nr.:
- STD60N55F3
- Marke:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.505 | CHF.7.51 |
| 50 - 245 | CHF.1.212 | CHF.6.06 |
| 250 - 395 | CHF.0.96 | CHF.4.81 |
| 400 - 795 | CHF.0.96 | CHF.4.79 |
| 800 + | CHF.0.848 | CHF.4.24 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 760-9929
- Herst. Teile-Nr.:
- STD60N55F3
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 80 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 55 V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | STripFET F3 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 8,5 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 110 W | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Länge | 6.6mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 33,5 nC @ 10 V | |
| Breite | 6.2mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 80 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 55 V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie STripFET F3 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 8,5 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 110 W | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Länge 6.6mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 33,5 nC @ 10 V | ||
Breite 6.2mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 2.4mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||