N-Kanal MOSFET Transistor STD6NF10T4, 100 V 6 A, TO-252 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 760-9926
- Herst. Teile-Nr.:
- STD6NF10T4
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.3.79
- 2'490 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 245 | CHF.0.758 | CHF.3.79 |
| 250 - 495 | CHF.0.414 | CHF.2.08 |
| 500 - 620 | CHF.0.394 | CHF.1.95 |
| 625 - 1245 | CHF.0.384 | CHF.1.91 |
| 1250 + | CHF.0.323 | CHF.1.63 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 760-9926
- Herst. Teile-Nr.:
- STD6NF10T4
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 6 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 250 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 30 W | |
| Betriebstemperatur min. | -65 °C | |
| Einschaltverzögerungszeit | 6 ns | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 280 pF @ 25 V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 20 ns | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 10 nC @ 10 V | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Breite | 6.2mm | |
| Länge | 6.6mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Abmessungen | 6.6 x 6.2 x 2.4mm | |
| Serie | STripFET | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 6 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 250 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 30 W | ||
Betriebstemperatur min. -65 °C | ||
Einschaltverzögerungszeit 6 ns | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 280 pF @ 25 V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 20 ns | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 10 nC @ 10 V | ||
Höhe 2.4mm | ||
Breite 6.2mm | ||
Länge 6.6mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Abmessungen 6.6 x 6.2 x 2.4mm | ||
Serie STripFET | ||