STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 STD6N62K3 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 620 V / 5,5 A 90 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 760-9922
- Herst. Teile-Nr.:
- STD6N62K3
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 760-9922
- Herst. Teile-Nr.:
- STD6N62K3
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 5,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 620 V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | MDmesh K3, SuperMESH3 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,2 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 90 W | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 6.6mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 34 nC @ 10 V | |
| Breite | 6.2mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 5,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 620 V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie MDmesh K3, SuperMESH3 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 1,2 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 90 W | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 6.6mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 34 nC @ 10 V | ||
Breite 6.2mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 2.4mm | ||