N-Kanal MOSFET Transistor STD5N62K3, 620 V 4,2 A, TO-252 3-pin

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
760-9916
Herst. Teile-Nr.:
STD5N62K3
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

4,2 A

Drain-Source-Spannung max.

620 V

Drain-Source-Widerstand max.

1,6 Ω

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Gehäusegröße

TO-252

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Enhancement

Kategorie

Leistungs-MOSFET

Verlustleistung max.

70 W

Breite

6.2mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Ausschaltverzögerungszeit

40 ns

Einschaltverzögerungszeit

12 ns

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

26 nC @ 10 V

Abmessungen

6.6 x 6.2 x 2.4mm

Eingangskapazität typ. @ Vds

680 pF @ 50 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Serie

MDmesh K3, SuperMESH3

Höhe

2.4mm

Länge

6.6mm

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