N-Kanal MOSFET Transistor STD3N62K3, 620 V 2,7 A, TO-252 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 760-9907P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD3N62K3
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 250 - 495 | CHF.1.00 |
| 500 - 620 | CHF.0.909 |
| 625 - 1245 | CHF.0.889 |
| 1250 + | CHF.0.707 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 760-9907P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD3N62K3
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,7 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 620 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2,5 Ω | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 45 W | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Serie | MDmesh K3, SuperMESH3 | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Breite | 6.2mm | |
| Länge | 6.6mm | |
| Abmessungen | 6.6 x 6.2 x 2.4mm | |
| Einschaltverzögerungszeit | 9 ns | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 385 pF @ 25 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 22 ns | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 2,7 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 620 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 2,5 Ω | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 45 W | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Serie MDmesh K3, SuperMESH3 | ||
Höhe 2.4mm | ||
Breite 6.2mm | ||
Länge 6.6mm | ||
Abmessungen 6.6 x 6.2 x 2.4mm | ||
Einschaltverzögerungszeit 9 ns | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 385 pF @ 25 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 13 nC @ 10 V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 22 ns | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||