N-Kanal MOSFET Transistor STD3N62K3, 620 V 2,7 A, TO-252 3-pin

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RS Best.-Nr.:
760-9907
Herst. Teile-Nr.:
STD3N62K3
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

2,7 A

Drain-Source-Spannung max.

620 V

Drain-Source-Widerstand max.

2,5 Ω

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Gehäusegröße

TO-252

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Enhancement

Kategorie

Leistungs-MOSFET

Verlustleistung max.

45 W

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

6.2mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

13 nC @ 10 V

Eingangskapazität typ. @ Vds

385 pF @ 25 V

Einschaltverzögerungszeit

9 ns

Ausschaltverzögerungszeit

22 ns

Länge

6.6mm

Serie

MDmesh K3, SuperMESH3

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Abmessungen

6.6 x 6.2 x 2.4mm

Höhe

2.4mm

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