N-Kanal MOSFET Transistor STD3NK100Z, 1000 V 2,5 A, D-PAK 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 760-9900
- Herst. Teile-Nr.:
- STD3NK100Z
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.3.89
- Zusätzlich 15 Einheit(en) mit Versand ab 15. Juni 2026
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.0.778 | CHF.3.91 |
| 50 - 245 | CHF.0.758 | CHF.3.77 |
| 250 - 395 | CHF.0.727 | CHF.3.63 |
| 400 - 795 | CHF.0.697 | CHF.3.49 |
| 800 + | CHF.0.677 | CHF.3.39 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 760-9900
- Herst. Teile-Nr.:
- STD3NK100Z
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 1000 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 6Ω | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 90 W | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| Abmessungen | 6.6 x 6.2 x 2.4mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Einschaltverzögerungszeit | 15 ns | |
| Länge | 6.6mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 39 ns | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 601 pF @ 25 V | |
| Breite | 6.2mm | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 2,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 1000 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 6Ω | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 90 W | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 18 nC @ 10 V | ||
Abmessungen 6.6 x 6.2 x 2.4mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Einschaltverzögerungszeit 15 ns | ||
Länge 6.6mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Ausschaltverzögerungszeit 39 ns | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 601 pF @ 25 V | ||
Breite 6.2mm | ||
Höhe 2.4mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||