N-Kanal MOSFET Transistor STD10NM65N, 650 V 9 A, TO-252 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 760-9871P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD10NM65N
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.46.95
- 260 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 145 | CHF.0.939 |
| 150 - 295 | CHF.0.869 |
| 300 - 595 | CHF.0.848 |
| 600 + | CHF.0.828 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 760-9871P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD10NM65N
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 9 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 480 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 90 W | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Einschaltverzögerungszeit | 12 ns | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 850 pF @ 50 V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 50 ns | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 6.6mm | |
| Abmessungen | 6.6 x 6.2 x 2.4mm | |
| Breite | 6.2mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Serie | MDmesh | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 9 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 480 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 90 W | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Einschaltverzögerungszeit 12 ns | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 25 nC @ 10 V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 850 pF @ 50 V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 50 ns | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 6.6mm | ||
Abmessungen 6.6 x 6.2 x 2.4mm | ||
Breite 6.2mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Serie MDmesh | ||
Höhe 2.4mm | ||