STMicroelectronics MDmesh STD10NM50N N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 500 V / 7 A 70 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 760-9869
- Herst. Teile-Nr.:
- STD10NM50N
- Marke:
- STMicroelectronics
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Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 760-9869
- Herst. Teile-Nr.:
- STD10NM50N
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 7 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 500 V | |
| Serie | MDmesh | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 630 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 70 W | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Breite | 6.2mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 6.6mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 7 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 500 V | ||
Serie MDmesh | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 630 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 70 W | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Breite 6.2mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 17 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 6.6mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 2.4mm | ||