N-Kanal MOSFET Transistor STB3NK60ZT4, 600 V 2,4 A, D2PAK 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 760-9840P
- Herst. Teile-Nr.:
- STB3NK60ZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.20.70
- Zusätzlich 495 Einheit(en) mit Versand ab 15. Juni 2026
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 245 | CHF.0.414 |
| 250 - 495 | CHF.0.364 |
| 500 - 995 | CHF.0.323 |
| 1000 + | CHF.0.283 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 760-9840P
- Herst. Teile-Nr.:
- STB3NK60ZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,4 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3,6 Ω | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 45 W | |
| Abmessungen | 10.75 x 10.4 x 4.6mm | |
| Länge | 10.75mm | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 19 ns | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 311 pF @ 25 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 11,8 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Einschaltverzögerungszeit | 9 ns | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 10.4mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 2,4 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 3,6 Ω | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 45 W | ||
Abmessungen 10.75 x 10.4 x 4.6mm | ||
Länge 10.75mm | ||
Ausschaltverzögerungszeit 19 ns | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 311 pF @ 25 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 11,8 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Einschaltverzögerungszeit 9 ns | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 10.4mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Höhe 4.6mm | ||