N-Kanal MOSFET Transistor STB11NK40ZT4, 400 V 9 A, TO-263 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 760-9809
- Herst. Teile-Nr.:
- STB11NK40ZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.7.575
- Versand ab 01. September 2026
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.1.515 | CHF.7.60 |
| 25 - 120 | CHF.1.232 | CHF.6.14 |
| 125 - 245 | CHF.0.98 | CHF.4.89 |
| 250 - 495 | CHF.0.909 | CHF.4.55 |
| 500 + | CHF.0.778 | CHF.3.88 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 760-9809
- Herst. Teile-Nr.:
- STB11NK40ZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 9 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 400 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 550 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 110 W | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 40 ns | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Breite | 10.4mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Abmessungen | 10.75 x 10.4 x 4.6mm | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 930 pF @ 25 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 32 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Länge | 10.75mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Einschaltverzögerungszeit | 20 ns | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 9 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 400 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 550 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 110 W | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Ausschaltverzögerungszeit 40 ns | ||
Höhe 4.6mm | ||
Breite 10.4mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Abmessungen 10.75 x 10.4 x 4.6mm | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 930 pF @ 25 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 32 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Länge 10.75mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Einschaltverzögerungszeit 20 ns | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||