N-Kanal MOSFET Transistor STW25N95K3, 950 V 22 A, TO-247 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 760-9780
- Herst. Teile-Nr.:
- STW25N95K3
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.7.161
- Zusätzlich 473 Einheit(en) mit Versand ab 22. Juni 2026
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.7.16 |
| 10 - 29 | CHF.6.90 |
| 30 - 59 | CHF.6.65 |
| 60 - 119 | CHF.6.39 |
| 120 + | CHF.6.22 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 760-9780
- Herst. Teile-Nr.:
- STW25N95K3
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 22 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 950 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 360 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 400 W | |
| Einschaltverzögerungszeit | 39 ns | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 105 nC @ 10 V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 3680 pF @ 100 V | |
| Serie | MDmesh K3, SuperMESH3 | |
| Höhe | 20.15mm | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 97 ns | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 15.75mm | |
| Abmessungen | 15.75 x 5.15 x 20.15mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 5.15mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 22 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 950 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 360 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 400 W | ||
Einschaltverzögerungszeit 39 ns | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 105 nC @ 10 V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 3680 pF @ 100 V | ||
Serie MDmesh K3, SuperMESH3 | ||
Höhe 20.15mm | ||
Ausschaltverzögerungszeit 97 ns | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 15.75mm | ||
Abmessungen 15.75 x 5.15 x 20.15mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 5.15mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||