N-Kanal MOSFET Transistor STU8NM50N, 500 V 5 A, TO-251 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 760-9764P
- Herst. Teile-Nr.:
- STU8NM50N
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
- RS Best.-Nr.:
- 760-9764P
- Herst. Teile-Nr.:
- STU8NM50N
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 500 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 790 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Gehäusegröße | TO-251 | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 45 W | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 14 nC @ 10 V | |
| Einschaltverzögerungszeit | 7 ns | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 364 pF @ 50 V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 25 ns | |
| Höhe | 6.9mm | |
| Serie | MDmesh | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 6.6mm | |
| Abmessungen | 6.6 x 2.4 x 6.9mm | |
| Breite | 2.4mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 500 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 790 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Gehäusegröße TO-251 | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 45 W | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 14 nC @ 10 V | ||
Einschaltverzögerungszeit 7 ns | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 364 pF @ 50 V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 25 ns | ||
Höhe 6.9mm | ||
Serie MDmesh | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 6.6mm | ||
Abmessungen 6.6 x 2.4 x 6.9mm | ||
Breite 2.4mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
