N-Kanal MOSFET Transistor STU8NM50N, 500 V 5 A, TO-251 3-pin

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
760-9764P
Herst. Teile-Nr.:
STU8NM50N
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

5 A

Drain-Source-Spannung max.

500 V

Drain-Source-Widerstand max.

790 mΩ

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Gehäusegröße

TO-251

Montage-Typ

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Enhancement

Kategorie

Leistungs-MOSFET

Verlustleistung max.

45 W

Gate-Ladung typ. @ Vgs

14 nC @ 10 V

Einschaltverzögerungszeit

7 ns

Eingangskapazität typ. @ Vds

364 pF @ 50 V

Ausschaltverzögerungszeit

25 ns

Höhe

6.9mm

Serie

MDmesh

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

6.6mm

Abmessungen

6.6 x 2.4 x 6.9mm

Breite

2.4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

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