N-Kanal MOSFET Transistor STU150N3LLH6, 30 V 80 A, TO-251 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 760-9736P
- Herst. Teile-Nr.:
- STU150N3LLH6
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 760-9736P
- Herst. Teile-Nr.:
- STU150N3LLH6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 80 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4,9 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gehäusegröße | TO-251 | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 110 W | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Serie | DeepGate, STripFET | |
| Höhe | 6.9mm | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 75 ns | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 4040 pF @ 25 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 40 nC @ 4,5 V | |
| Einschaltverzögerungszeit | 17 ns | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Abmessungen | 6.6 x 2.4 x 6.9mm | |
| Länge | 6.6mm | |
| Breite | 2.4mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 80 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 4,9 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gehäusegröße TO-251 | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 110 W | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Serie DeepGate, STripFET | ||
Höhe 6.9mm | ||
Ausschaltverzögerungszeit 75 ns | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 4040 pF @ 25 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 40 nC @ 4,5 V | ||
Einschaltverzögerungszeit 17 ns | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Abmessungen 6.6 x 2.4 x 6.9mm | ||
Länge 6.6mm | ||
Breite 2.4mm | ||