N-Kanal MOSFET Transistor STP95N4F3, 40 V 80 A, TO-220 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 760-9720P
- Herst. Teile-Nr.:
- STP95N4F3
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme 10 Stück (geliefert in Stange)*
CHF.12.12
- 120 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 45 | CHF.1.212 |
| 50 - 95 | CHF.1.061 |
| 100 - 245 | CHF.0.96 |
| 250 + | CHF.0.869 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 760-9720P
- Herst. Teile-Nr.:
- STP95N4F3
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 80 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 6,2 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 110 W | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Einschaltverzögerungszeit | 15 ns | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 40 nC @ 10 V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 2200 pF @ 25 V | |
| Höhe | 15.75mm | |
| Serie | STripFET F3 | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Länge | 10.4mm | |
| Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 15.75mm | |
| Breite | 4.6mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 40 ns | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 80 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 6,2 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 110 W | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Einschaltverzögerungszeit 15 ns | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 40 nC @ 10 V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 2200 pF @ 25 V | ||
Höhe 15.75mm | ||
Serie STripFET F3 | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Länge 10.4mm | ||
Abmessungen 10.4 x 4.6 x 15.75mm | ||
Breite 4.6mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Ausschaltverzögerungszeit 40 ns | ||