N-Kanal MOSFET Transistor STP10NM60ND, 600 V 8 A, TO-220 4-pin
- RS Best.-Nr.:
- 760-9654
- Herst. Teile-Nr.:
- STP10NM60ND
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.13.485
- Zusätzlich 35 Einheit(en) mit Versand ab 15. Juni 2026
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | CHF.2.697 | CHF.13.46 |
| 10 - 45 | CHF.2.222 | CHF.11.11 |
| 50 - 95 | CHF.2.182 | CHF.10.89 |
| 100 - 245 | CHF.1.778 | CHF.8.90 |
| 250 + | CHF.1.747 | CHF.8.72 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 760-9654
- Herst. Teile-Nr.:
- STP10NM60ND
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 8 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 600 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 70 W | |
| Einschaltverzögerungszeit | 9,2 ns | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 577 pF @ 50 V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 32 ns | |
| Höhe | 15.75mm | |
| Serie | FDmesh | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 10.4mm | |
| Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 15.75mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 4.6mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 8 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 600 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 70 W | ||
Einschaltverzögerungszeit 9,2 ns | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 20 nC @ 10 V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 577 pF @ 50 V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 32 ns | ||
Höhe 15.75mm | ||
Serie FDmesh | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 10.4mm | ||
Abmessungen 10.4 x 4.6 x 15.75mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 4.6mm | ||