N-Kanal MOSFET Transistor STL100N1VH5, 12 V 100 A, PowerFLAT 8-pin
- RS Best.-Nr.:
- 760-9635
- Herst. Teile-Nr.:
- STL100N1VH5
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.3.94
- Zusätzlich 680 Einheit(en) mit Versand ab 15. Juni 2026
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.0.788 | CHF.3.92 |
| 50 - 245 | CHF.0.657 | CHF.3.26 |
| 250 - 745 | CHF.0.556 | CHF.2.76 |
| 750 - 1495 | CHF.0.515 | CHF.2.56 |
| 1500 + | CHF.0.465 | CHF.2.34 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 760-9635
- Herst. Teile-Nr.:
- STL100N1VH5
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 12 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.5V | |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 60 W | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 26,5 nC @ 4,5 V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 2085 pF @ 10 V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 50 ns | |
| Serie | STripFET V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 5.2mm | |
| Abmessungen | 5.2 x 6.15 x 0.95mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 6.15mm | |
| Einschaltverzögerungszeit | 14,4 ns | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 100 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 12 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 4 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.5V | ||
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 60 W | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 26,5 nC @ 4,5 V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 2085 pF @ 10 V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 50 ns | ||
Serie STripFET V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 5.2mm | ||
Abmessungen 5.2 x 6.15 x 0.95mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 6.15mm | ||
Einschaltverzögerungszeit 14,4 ns | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 0.95mm | ||