STMicroelectronics DeepGate, STripFET STI260N6F6 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 60 V / 120 A 300 W, 3-Pin I2PAK
- RS Best.-Nr.:
- 760-9626P
- Herst. Teile-Nr.:
- STI260N6F6
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 760-9626P
- Herst. Teile-Nr.:
- STI260N6F6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 120 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Serie | DeepGate, STripFET | |
| Gehäusegröße | I2PAK | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 300 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 183 nC @ 10 V | |
| Breite | 4.6mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 10.75mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 120 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Serie DeepGate, STripFET | ||
Gehäusegröße I2PAK | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 3 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 300 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 183 nC @ 10 V | ||
Breite 4.6mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 10.75mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||