N-Kanal MOSFET Transistor STD5NK40ZT4, 400 V 3 A, TO-252 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 760-9581
- Herst. Teile-Nr.:
- STD5NK40ZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.5.00
- 190 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 245 | CHF.1.00 | CHF.5.00 |
| 250 - 495 | CHF.0.616 | CHF.3.08 |
| 500 - 620 | CHF.0.576 | CHF.2.87 |
| 625 - 1245 | CHF.0.566 | CHF.2.81 |
| 1250 + | CHF.0.434 | CHF.2.15 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 760-9581
- Herst. Teile-Nr.:
- STD5NK40ZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 3 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 400 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,8 Ω | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 45 W | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 11,7 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Einschaltverzögerungszeit | 9,2 ns | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 6.2mm | |
| Länge | 6.6mm | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 305 pF @ 25 V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 22,5 ns | |
| Abmessungen | 6.6 x 6.2 x 2.4mm | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 3 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 400 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 1,8 Ω | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 45 W | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 11,7 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Einschaltverzögerungszeit 9,2 ns | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 6.2mm | ||
Länge 6.6mm | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 305 pF @ 25 V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 22,5 ns | ||
Abmessungen 6.6 x 6.2 x 2.4mm | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Höhe 2.4mm | ||