N-Kanal MOSFET Transistor STD14NM50N, 500 V 12 A, TO-252 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 760-9547P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD14NM50N
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 5 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.9.09
Auf Lager
- Zusätzlich 45 Einheit(en) mit Versand ab 15. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 5 - 19 | CHF.1.82 |
| 20 - 49 | CHF.1.60 |
| 50 - 99 | CHF.1.43 |
| 100 + | CHF.1.31 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 760-9547P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD14NM50N
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 12 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 500 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 320 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 90 W | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 27 nC @ 10 V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 816 pF @ 50 V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 42 ns | |
| Breite | 6.2mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Serie | MDmesh | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 6.6mm | |
| Abmessungen | 6.6 x 6.2 x 2.4mm | |
| Einschaltverzögerungszeit | 10,2 ns | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 12 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 500 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 320 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 90 W | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 27 nC @ 10 V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 816 pF @ 50 V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 42 ns | ||
Breite 6.2mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 2.4mm | ||
Serie MDmesh | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 6.6mm | ||
Abmessungen 6.6 x 6.2 x 2.4mm | ||
Einschaltverzögerungszeit 10,2 ns | ||