N-Kanal MOSFET Transistor STD155N3H6, 30 V 80 A, TO-252 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 760-9544P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD155N3H6
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
- RS Best.-Nr.:
- 760-9544P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD155N3H6
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 80 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3 mΩ | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 110 W | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 50 ns | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Serie | DeepGate, STripFET | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Länge | 6.6mm | |
| Abmessungen | 6.6 x 6.2 x 2.4mm | |
| Einschaltverzögerungszeit | 20 ns | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 62 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 3650 pF @ 25 V | |
| Breite | 6.2mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 80 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 3 mΩ | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 110 W | ||
Ausschaltverzögerungszeit 50 ns | ||
Höhe 2.4mm | ||
Serie DeepGate, STripFET | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Länge 6.6mm | ||
Abmessungen 6.6 x 6.2 x 2.4mm | ||
Einschaltverzögerungszeit 20 ns | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 62 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 3650 pF @ 25 V | ||
Breite 6.2mm | ||
