N-Kanal MOSFET Transistor STD155N3H6, 30 V 80 A, TO-252 3-pin

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
760-9544P
Herst. Teile-Nr.:
STD155N3H6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Drain-Source-Widerstand max.

3 mΩ

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gehäusegröße

TO-252

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Enhancement

Kategorie

Leistungs-MOSFET

Verlustleistung max.

110 W

Ausschaltverzögerungszeit

50 ns

Höhe

2.4mm

Serie

DeepGate, STripFET

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

6.6mm

Abmessungen

6.6 x 6.2 x 2.4mm

Einschaltverzögerungszeit

20 ns

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

62 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Eingangskapazität typ. @ Vds

3650 pF @ 25 V

Breite

6.2mm

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