N-Kanal MOSFET Transistor STP20NF06L, 60 V 20 A, TO-220 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 714-6784
- Herst. Teile-Nr.:
- STP20NF06L
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.8.08
- Noch 40 Einheit(en) verfügbar, versandfertig
- Zusätzlich 110 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.0.808 | CHF.8.04 |
| 50 - 90 | CHF.0.677 | CHF.6.75 |
| 100 - 190 | CHF.0.636 | CHF.6.32 |
| 200 - 490 | CHF.0.616 | CHF.6.19 |
| 500 + | CHF.0.485 | CHF.4.88 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 714-6784
- Herst. Teile-Nr.:
- STP20NF06L
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 20 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 70 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Gate-Source Spannung max. | -18 V, +18 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 60 W | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 400 pF @ 25 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 7,5 nC bei 10 V | |
| Höhe | 9.15mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Serie | STripFET | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 20 ns | |
| Breite | 4.6mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Einschaltverzögerungszeit | 12 ns | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Länge | 10.4mm | |
| Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 9.15mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 20 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 70 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Gate-Source Spannung max. -18 V, +18 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 60 W | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 400 pF @ 25 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 7,5 nC bei 10 V | ||
Höhe 9.15mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Serie STripFET | ||
Ausschaltverzögerungszeit 20 ns | ||
Breite 4.6mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Einschaltverzögerungszeit 12 ns | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Länge 10.4mm | ||
Abmessungen 10.4 x 4.6 x 9.15mm | ||