N-Kanal MOSFET Transistor STN1NK60Z, 600 V 0,3 A, SOT-223 4-pin
- RS Best.-Nr.:
- 714-1072P
- Herst. Teile-Nr.:
- STN1NK60Z
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.9.10
- 1'800 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 90 | CHF.0.182 |
| 100 - 190 | CHF.0.182 |
| 200 - 490 | CHF.0.182 |
| 500 + | CHF.0.172 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 714-1072P
- Herst. Teile-Nr.:
- STN1NK60Z
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 300 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 15 Ω | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3+Tab | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 3,3 W | |
| Länge | 6.5mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Abmessungen | 6.5 x 3.5 x 1.8mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | –4,9 nC @ 10 V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 94 pF @ 25 V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 13 ns | |
| Einschaltverzögerungszeit | 5,5 ns | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 3.5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 300 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 15 Ω | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3+Tab | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 3,3 W | ||
Länge 6.5mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Abmessungen 6.5 x 3.5 x 1.8mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs –4,9 nC @ 10 V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 94 pF @ 25 V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 13 ns | ||
Einschaltverzögerungszeit 5,5 ns | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 3.5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Höhe 1.8mm | ||