N-Kanal MOSFET Transistor STP60N55F3, 55 V 80 A, TO-220 3-pin

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
687-5349P
Herst. Teile-Nr.:
STP60N55F3
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

55 V

Drain-Source-Widerstand max.

0.009 Ω

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Enhancement

Kategorie

Leistungs-MOSFET

Verlustleistung max.

110000 mW

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

33,5 nC @ 10 V

Breite

4.6mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Eingangskapazität typ. @ Vds

2200 pF @ 25 V

Ausschaltverzögerungszeit

35 ns

Einschaltverzögerungszeit

20 ns

Länge

10.4mm

Abmessungen

10.4 x 4.6 x 9.15mm

Serie

STripFET F3

Höhe

9.15mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

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