N-Kanal MOSFET Transistor STP12NK80Z, 800 V 10,5 A, TO-220 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 687-5263
- Herst. Teile-Nr.:
- STP12NK80Z
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.6.262
- 26 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.3.131 | CHF.6.26 |
| 10 - 18 | CHF.2.616 | CHF.5.23 |
| 20 - 48 | CHF.2.565 | CHF.5.12 |
| 50 - 98 | CHF.2.505 | CHF.5.02 |
| 100 + | CHF.2.222 | CHF.4.45 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 687-5263
- Herst. Teile-Nr.:
- STP12NK80Z
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 10,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 800 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 750 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 190 W | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 70 ns | |
| Einschaltverzögerungszeit | 30 ns | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 2620 pF @ 25 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 87 nC @ 10 V | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Höhe | 9.15mm | |
| Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 9.15mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Breite | 4.6mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 10,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 800 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 750 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 190 W | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Ausschaltverzögerungszeit 70 ns | ||
Einschaltverzögerungszeit 30 ns | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 2620 pF @ 25 V | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 87 nC @ 10 V | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Höhe 9.15mm | ||
Abmessungen 10.4 x 4.6 x 9.15mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Breite 4.6mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||