N-Kanal MOSFET Transistor STD12NF06LT4, 60 V 12 A, D-PAK 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 687-5166P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD12NF06LT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Zwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.33.35
- Zusätzlich 6'580 Einheit(en) mit Versand ab 15. Juni 2026
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 90 | CHF.0.667 |
| 100 - 240 | CHF.0.455 |
| 250 - 490 | CHF.0.444 |
| 500 + | CHF.0.434 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 687-5166P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD12NF06LT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 12 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 100 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Gate-Source Spannung max. | –16 V, +16 V | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 30 W | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 350 pF @ 25 V | |
| Serie | STripFET II | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 20 ns | |
| Länge | 6.6mm | |
| Abmessungen | 6.6 x 6.2 x 2.4mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 7,5 nC bei 5 V | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Breite | 6.2mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Einschaltverzögerungszeit | 10 ns | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 12 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 100 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Gate-Source Spannung max. –16 V, +16 V | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 30 W | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 350 pF @ 25 V | ||
Serie STripFET II | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Ausschaltverzögerungszeit 20 ns | ||
Länge 6.6mm | ||
Abmessungen 6.6 x 6.2 x 2.4mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 7,5 nC bei 5 V | ||
Höhe 2.4mm | ||
Breite 6.2mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Einschaltverzögerungszeit 10 ns | ||