N-Kanal MOSFET Transistor STD20NF06L, 60 V 24 A, TO-252 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 486-5637P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD20NF06L
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 486-5637P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD20NF06L
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 24 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 40 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Gate-Source Spannung max. | -18 V, +18 V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 60 W | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Abmessungen | 6.6 x 6.2 x 2.4mm | |
| Länge | 6.6mm | |
| Einschaltverzögerungszeit | 11 ns | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Breite | 6.2mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Serie | STripFET | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 20 ns | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 660 pF bei 25 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 24 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 40 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Gate-Source Spannung max. -18 V, +18 V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 60 W | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Abmessungen 6.6 x 6.2 x 2.4mm | ||
Länge 6.6mm | ||
Einschaltverzögerungszeit 11 ns | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Breite 6.2mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Serie STripFET | ||
Höhe 2.4mm | ||
Ausschaltverzögerungszeit 20 ns | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 660 pF bei 25 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 13 nC @ 10 V | ||
