N-Kanal MOSFET Transistor STB80NF55-06T4, 55 V 80 A, I2PAK 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 486-5586P
- Herst. Teile-Nr.:
- STB80NF55-06T4
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 486-5586P
- Herst. Teile-Nr.:
- STB80NF55-06T4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 80 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 55 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 7 mΩ | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gehäusegröße | I2PAK | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 300 W | |
| Höhe | 9.35mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 4400 pF bei 25 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 142 nC bei 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Einschaltverzögerungszeit | 27 ns | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 4.6mm | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 125 ns | |
| Serie | STripFET II | |
| Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 9.35mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 80 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 55 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 7 mΩ | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gehäusegröße I2PAK | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 300 W | ||
Höhe 9.35mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 4400 pF bei 25 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 142 nC bei 10 V | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Einschaltverzögerungszeit 27 ns | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 4.6mm | ||
Ausschaltverzögerungszeit 125 ns | ||
Serie STripFET II | ||
Abmessungen 10.4 x 4.6 x 9.35mm | ||