N-Kanal MOSFET Transistor STP80NF03L, 30 V 80 A, TO-220 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 486-2363
- Herst. Teile-Nr.:
- STP80NF03L
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
- RS Best.-Nr.:
- 486-2363
- Herst. Teile-Nr.:
- STP80NF03L
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 80 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 5 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 300 W | |
| Einschaltverzögerungszeit | 30 ns | |
| Betriebstemperatur min. | -65 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 85 nC @ 4,5 V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 1120 ns | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 5500 pF @ 25 V | |
| Länge | 10.4mm | |
| Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 9.15mm | |
| Breite | 4.6mm | |
| Höhe | 9.15mm | |
| Serie | STripFET II | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 80 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 5 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 300 W | ||
Einschaltverzögerungszeit 30 ns | ||
Betriebstemperatur min. -65 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 85 nC @ 4,5 V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 1120 ns | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 5500 pF @ 25 V | ||
Länge 10.4mm | ||
Abmessungen 10.4 x 4.6 x 9.15mm | ||
Breite 4.6mm | ||
Höhe 9.15mm | ||
Serie STripFET II | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
