N-Kanal MOSFET Transistor STB55NF06L, 60 V 55 A, D2PAK 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 486-1922P
- Herst. Teile-Nr.:
- STB55NF06L
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme 25 Stück (geliefert in Stange)*
CHF.23.225
- Zusätzlich 455 Einheit(en) mit Versand ab 15. Juni 2026
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 25 - 95 | CHF.0.929 |
| 100 - 245 | CHF.0.848 |
| 250 - 495 | CHF.0.778 |
| 500 + | CHF.0.727 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 486-1922P
- Herst. Teile-Nr.:
- STB55NF06L
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 55 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 18 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Gate-Source Spannung max. | –16 V, +16 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 95 W | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 27 nC @ 4,5 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Einschaltverzögerungszeit | 20 ns | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 9.35mm | |
| Abmessungen | 10.4 x 9.35 x 4.6mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Serie | STripFET II | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 1700 pF @ 25 V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 40 ns | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 55 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 18 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Gate-Source Spannung max. –16 V, +16 V | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 95 W | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 27 nC @ 4,5 V | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Einschaltverzögerungszeit 20 ns | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 9.35mm | ||
Abmessungen 10.4 x 9.35 x 4.6mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Serie STripFET II | ||
Höhe 4.6mm | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 1700 pF @ 25 V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 40 ns | ||