N-Kanal MOSFET Transistor IRF630, 200 V 9 A, TO-220 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 486-0171
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF630
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.0.808 | CHF.4.04 |
| 25 - 95 | CHF.0.626 | CHF.3.15 |
| 100 - 245 | CHF.0.515 | CHF.2.56 |
| 250 - 495 | CHF.0.505 | CHF.2.51 |
| 500 + | CHF.0.455 | CHF.2.29 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 486-0171
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF630
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 9 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 200 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 400 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 75 W | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 540 pF @ 25 V | |
| Einschaltverzögerungszeit | 10 ns | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 9.15mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 31 nC @ 10 V | |
| Breite | 4.6mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | -65 °C | |
| Serie | STripFET | |
| Höhe | 9.15mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 9 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 200 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 400 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 75 W | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 540 pF @ 25 V | ||
Einschaltverzögerungszeit 10 ns | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Abmessungen 10.4 x 4.6 x 9.15mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 31 nC @ 10 V | ||
Breite 4.6mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur min. -65 °C | ||
Serie STripFET | ||
Höhe 9.15mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||