N-Kanal MOSFET Transistor STS11NF30L, 30 V 11 A, SO 8-pin
- RS Best.-Nr.:
- 485-8291P
- Herst. Teile-Nr.:
- STS11NF30L
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme 25 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.20.45
- Zusätzlich 1'150 Einheit(en) mit Versand ab 15. Juni 2026
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 25 - 95 | CHF.0.818 |
| 100 - 245 | CHF.0.717 |
| 250 - 495 | CHF.0.606 |
| 500 + | CHF.0.556 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 485-8291P
- Herst. Teile-Nr.:
- STS11NF30L
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 11 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 10,5 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Gate-Source Spannung max. | -18 V, +18 V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 2,5 W | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 23 ns | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 1.25mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Einschaltverzögerungszeit | 22 ns | |
| Abmessungen | 5 x 4 x 1.25mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 22,5 nC @ 5 V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 1440 pF @ 25 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Serie | STripFET F3 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 4mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 11 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 10,5 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Gate-Source Spannung max. -18 V, +18 V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 2,5 W | ||
Ausschaltverzögerungszeit 23 ns | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 1.25mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Einschaltverzögerungszeit 22 ns | ||
Abmessungen 5 x 4 x 1.25mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 22,5 nC @ 5 V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 1440 pF @ 25 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Serie STripFET F3 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 4mm | ||