P-Kanal MOSFET Transistor STB80PF55, 55 V 80 A, D2PAK 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 485-7282P
- Herst. Teile-Nr.:
- STB80PF55
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 485-7282P
- Herst. Teile-Nr.:
- STB80PF55
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 80 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 55 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 18 mΩ | |
| Gate-Source Spannung max. | –16 V, +16 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 300 W | |
| Breite | 9.35mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Einschaltverzögerungszeit | 35 ns | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 190 nC @ 10 V | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Serie | STripFET | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Länge | 10.4mm | |
| Abmessungen | 10.4 x 9.35 x 4.6mm | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 5500 pF @ 25 V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 165 ns | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 80 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 55 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 18 mΩ | ||
Gate-Source Spannung max. –16 V, +16 V | ||
Gehäusegröße D2PAK | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 300 W | ||
Breite 9.35mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Einschaltverzögerungszeit 35 ns | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 190 nC @ 10 V | ||
Höhe 4.6mm | ||
Serie STripFET | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Länge 10.4mm | ||
Abmessungen 10.4 x 9.35 x 4.6mm | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 5500 pF @ 25 V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 165 ns | ||