N-Kanal MOSFET Transistor BSP295, 60 V 1,8 A, SOT-223 4-pin
- RS Best.-Nr.:
- 445-2269
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP295
- Marke:
- Infineon
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CHF.2.98
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.0.596 | CHF.3.00 |
| 25 - 95 | CHF.0.586 | CHF.2.94 |
| 100 - 245 | CHF.0.505 | CHF.2.55 |
| 250 - 495 | CHF.0.455 | CHF.2.25 |
| 500 + | CHF.0.364 | CHF.1.81 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 445-2269
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP295
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.8 | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60 | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Montageart | Oberflächenmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14 | |
| Betriebstemperatur min. | -55 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.8 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 | |
| Höhe | 1.6 | |
| Breite | 3.5 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.5 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.8 | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60 | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie SIPMOS | ||
Montageart Oberflächenmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14 | ||
Betriebstemperatur min. -55 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.8 | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 | ||
Höhe 1.6 | ||
Breite 3.5 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.5 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
<bold>Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 1,8 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 1,8 W maximale Verlustleistung - BSP295H6327XTSA1</bold>
Dieser MOSFET wurde für Hochleistungsanwendungen in der Automatisierung und Elektronik entwickelt. Seine N-Kanal-Konfiguration in Verbindung mit einer effizienten Oberflächenmontage ermöglicht eine effektive Stromregelung, wodurch er sich für eine Reihe von industriellen Anwendungen eignet. Er unterstützt eine maximale Drain-Source-Spannung von 60 V und gewährleistet so eine gleichbleibende Leistung für verschiedene Projekte.
<bold>Eigenschaften und Vorteile</bold>
• Bewältigt kontinuierlich einen Ableitstrom von 1,8 A
• Großer Gate-Source-Spannungsbereich von -20V bis +20V
• Niedriger maximaler Drain-Source-Widerstand von 300 mΩ
• Qualifiziert nach AEC-Q101 Automobilstandard für Zuverlässigkeit
<bold>Anwendungsbereich</bold>
• Elektronische Steuergeräte für Kraftfahrzeuge
• Energiemanagementsysteme für eine effiziente Leistungssteuerung
• Motorantriebe für zuverlässige Schaltvorgänge
• Signalverstärkung in verschiedenen elektronischen Geräten
<bold>Wie hoch ist die typische Verlustleistung des Bauteils?</bold>
Es kann unter bestimmten Bedingungen bis zu 1,8 W ableiten und sorgt so für ein effektives Wärmemanagement während des Betriebs.
<bold>Wie wirkt sich die Gate-Schwellenspannung auf die Leistung aus?</bold>
Softshell jacket (93% Polyester, 7% Elastane)
Die maximale Gate-Schwellenspannung beträgt 1,8 V, wodurch der MOSFET auch bei niedrigen Eingangspegeln eine optimale Leistung erzielen kann.
<bold>Kann dieses Bauteil gepulste Ableitströme verarbeiten?</bold>
Features AND Benefits
Ja, er ist für einen gepulsten Ableitstrom von bis zu 6 A ausgelegt, so dass er transiente Bedingungen effektiv bewältigen kann.
<bold>Welche Verpackungsmöglichkeiten gibt es?</bold>
Features AND Benefits
Der MOSFET ist in einem oberflächenmontierbaren SOT-223-Gehäuse erhältlich, das für platzsparende Designs optimiert ist.
<bold>Entspricht das Gerät den Umweltnormen?</bold>
Es verfügt über eine Pb-freie Bleibeschichtung und entspricht der RoHS-Richtlinie und erfüllt damit die aktuellen Umweltvorschriften.