N-Kanal MOSFET Transistor STP12NM50FP, 500 V 12 A, TO-220FP 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 419-2204P
- Herst. Teile-Nr.:
- STP12NM50FP
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 10 Stück (geliefert in Stange)*
CHF.20.40
Auf Lager
- 1'825 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 49 | CHF.2.04 |
| 50 - 99 | CHF.1.80 |
| 100 - 249 | CHF.1.60 |
| 250 + | CHF.1.49 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 419-2204P
- Herst. Teile-Nr.:
- STP12NM50FP
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 12 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 500 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 350 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 35 W | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 4.6mm | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 1000 pF @ 25 V | |
| Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 9.3mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Einschaltverzögerungszeit | 20 ns | |
| Betriebstemperatur min. | -65 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 28 nC @ 10 V | |
| Serie | MDmesh | |
| Höhe | 9.3mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 12 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 500 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 350 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 35 W | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 4.6mm | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 1000 pF @ 25 V | ||
Abmessungen 10.4 x 4.6 x 9.3mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Einschaltverzögerungszeit 20 ns | ||
Betriebstemperatur min. -65 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 28 nC @ 10 V | ||
Serie MDmesh | ||
Höhe 9.3mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
