N-Kanal MOSFET Transistor STS4DPF20L Dual, 20 V 4 A, SO 8-pin
- RS Best.-Nr.:
- 248-855
- Herst. Teile-Nr.:
- STS4DPF20L
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.2.12
- 1'675 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.0.424 | CHF.2.11 |
| 25 - 95 | CHF.0.414 | CHF.2.05 |
| 100 - 245 | CHF.0.404 | CHF.2.01 |
| 250 - 495 | CHF.0.394 | CHF.1.97 |
| 500 + | CHF.0.384 | CHF.1.90 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 248-855
- Herst. Teile-Nr.:
- STS4DPF20L
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 4 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 80 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Gate-Source Spannung max. | –16 V, +16 V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 2 W | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 1350 pF bei 25 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 12,5 nC @ 5 V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 125 ns | |
| Abmessungen | 5 x 4 x 1.25mm | |
| Breite | 4mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 5mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 1.25mm | |
| Serie | STripFET | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Einschaltverzögerungszeit | 25 ns | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 4 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 80 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Gate-Source Spannung max. –16 V, +16 V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 2 W | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 1350 pF bei 25 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 12,5 nC @ 5 V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 125 ns | ||
Abmessungen 5 x 4 x 1.25mm | ||
Breite 4mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 5mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 1.25mm | ||
Serie STripFET | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Einschaltverzögerungszeit 25 ns | ||