IGBT-Transistor NGTB10N60R2DT4G
- RS Best.-Nr.:
- 882-9809
- Herst. Teile-Nr.:
- NGTB10N60R2DT4G
- Marke:
- ON Semiconductor
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.1.03 | CHF.10.30 |
| 50 - 90 | CHF.0.828 | CHF.8.28 |
| 100 - 240 | CHF.0.667 | CHF.6.67 |
| 250 - 490 | CHF.0.586 | CHF.5.86 |
| 500 + | CHF.0.545 | CHF.5.45 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 882-9809
- Herst. Teile-Nr.:
- NGTB10N60R2DT4G
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 20 A | |
| Kollektor-Emitter- | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 72 W | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Länge | 6.73mm | |
| Breite | 6.22mm | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Abmessungen | 6.73 x 6.22 x 2.38mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Gate-Kapazität | 1340pF | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 20 A | ||
Kollektor-Emitter- 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 72 W | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Länge 6.73mm | ||
Breite 6.22mm | ||
Höhe 2.38mm | ||
Abmessungen 6.73 x 6.22 x 2.38mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Gate-Kapazität 1340pF | ||
- Ursprungsland:
- MY