STMicroelectronics IGBT / 60 A ±20V max., 600 V 200 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 877-2905P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW30NC60KD
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 25 Stück (geliefert in Stange)*
CHF.98.975
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 28. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 25 - 145 | CHF.3.959 |
| 150 - 295 | CHF.2.606 |
| 300 - 595 | CHF.2.525 |
| 600 + | CHF.2.444 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 877-2905P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW30NC60KD
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 60 | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchgangsbohrung | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.7 | |
| Betriebstemperatur min. | -55 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 | |
| Serie | Rugged | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.15 | |
| Länge | 15.75 | |
| Höhe | 20.15 | |
| Energie | 1435 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 60 | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchgangsbohrung | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.7 | ||
Betriebstemperatur min. -55 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 | ||
Serie Rugged | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.15 | ||
Länge 15.75 | ||
Höhe 20.15 | ||
Energie 1435 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.