N-Kanal IGBT-Transistor STGW45HF60WD, 600 V 70 A, TO-247 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 877-2902P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW45HF60WD
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 25 - 145 | CHF.3.394 |
| 150 - 295 | CHF.3.151 |
| 300 - 595 | CHF.2.909 |
| 600 + | CHF.2.727 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 877-2902P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW45HF60WD
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 70 A | |
| Kollektor-Emitter- | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 250 W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Länge | 15.75mm | |
| Breite | 5.15mm | |
| Höhe | 24.45mm | |
| Abmessungen | 15.75 x 5.15 x 24.45mm | |
| Gate-Kapazität | 2900pF | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Nennleistung | 1100µJ | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 70 A | ||
Kollektor-Emitter- 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 250 W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Länge 15.75mm | ||
Breite 5.15mm | ||
Höhe 24.45mm | ||
Abmessungen 15.75 x 5.15 x 24.45mm | ||
Gate-Kapazität 2900pF | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Nennleistung 1100µJ | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN