STMicroelectronics IGBT / 60 A ±20V max., 600 V 260 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 860-7450P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW30H60DFB
- Marke:
- STMicroelectronics
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|---|---|
| 20 - 48 | CHF.3.919 |
| 50 - 98 | CHF.3.353 |
| 100 - 248 | CHF.3.252 |
| 250 + | CHF.3.151 |
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- RS Best.-Nr.:
- 860-7450P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW30H60DFB
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 60 | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 260 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchgangsbohrung | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 | |
| Betriebstemperatur min. | -55 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | Trench gate field stop | |
| Höhe | 20.15 | |
| Länge | 15.75 | |
| Breite | 5.15 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 60 | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 260 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchgangsbohrung | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 | ||
Betriebstemperatur min. -55 | ||
Maximale Betriebstemperatur 175 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie Trench gate field stop | ||
Höhe 20.15 | ||
Länge 15.75 | ||
Breite 5.15 | ||
Automobilstandard Nein | ||
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.