N-Kanal IGBT-Transistor STGB10H60DF, 600 V 20 A, D2PAK 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 860-7444P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGB10H60DF
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 20 - 48 | CHF.2.646 |
| 50 - 98 | CHF.2.192 |
| 100 - 248 | CHF.2.131 |
| 250 + | CHF.2.06 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 860-7444P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGB10H60DF
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 20 A | |
| Kollektor-Emitter- | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 115 W | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Länge | 10.4mm | |
| Breite | 9.35mm | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Abmessungen | 10.4 x 9.35 x 4.6mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 20 A | ||
Kollektor-Emitter- 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 115 W | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Länge 10.4mm | ||
Breite 9.35mm | ||
Höhe 4.6mm | ||
Abmessungen 10.4 x 9.35 x 4.6mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||