N-Kanal IGBT-Transistor NGTB35N65FL2WG, 650 V 70 A 1MHz, TO-247 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 842-7898
- Herst. Teile-Nr.:
- NGTB35N65FL2WG
- Marke:
- ON Semiconductor
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.3.878 | CHF.7.75 |
| 20 - 48 | CHF.3.454 | CHF.6.90 |
| 50 - 98 | CHF.3.02 | CHF.6.04 |
| 100 - 198 | CHF.2.767 | CHF.5.54 |
| 200 + | CHF.2.586 | CHF.5.17 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 842-7898
- Herst. Teile-Nr.:
- NGTB35N65FL2WG
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 70 A | |
| Kollektor-Emitter- | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 300 W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Länge | 16.26mm | |
| Breite | 5.3mm | |
| Höhe | 21.08mm | |
| Abmessungen | 16.26 x 5.3 x 21.08mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 70 A | ||
Kollektor-Emitter- 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 300 W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Länge 16.26mm | ||
Breite 5.3mm | ||
Höhe 21.08mm | ||
Abmessungen 16.26 x 5.3 x 21.08mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||